发明名称 |
P-型背钝化太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种P-型背钝化太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:(1)在P-型硅片上表面制绒及扩散;(2)对扩散后的P-型硅片的背面进行刻蚀处理;(3)刻蚀处理后的P-型硅片的背面镀膜形成钝化层;(4)P-型硅片的正面镀膜形成抗反射层;(5)背面钝化层上通过激光进行开孔;(6)对激光开孔处理后的P-型硅片进行热处理;(7)印刷电极并将电极烧结在P-型硅片,得到P-型背钝化太阳能电池。本发明节省了高成本的湿法去损伤步奏,并且可以同时在正面抗反射薄膜上形成氮化硅,利用多层薄膜的特性来降低反射率,光转化效率高。 |
申请公布号 |
CN103560173A |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201310549483.6 |
申请日期 |
2013.11.08 |
申请人 |
中电电气(扬州)光伏有限公司 |
发明人 |
卢韦至 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 |
代理人 |
王玉霞 |
主权项 |
P‑型背钝化太阳能电池的制备方法,其特征是,所述制备方法包括以下步骤:(1)在P‑型硅片上表面制绒及扩散;(2)对扩散后的P‑型硅片的背面进行刻蚀处理;(3)刻蚀处理后的P‑型硅片的背面镀膜形成钝化层;(4)P‑型硅片的正面镀膜形成抗反射层;(5)背面钝化层上通过激光进行开孔;(6)对激光开孔处理后的P‑型硅片进行热处理,激发正面抗反射薄膜和背面钝化层的钝化效果,降低正面反射率,同时修复激光开孔造成的损伤;(7)热处理后的P‑型硅片上印刷电极,将电极烧结在P‑型硅片,得到P‑型背钝化太阳能电池。 |
地址 |
211400 江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道1号 |