一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法

摘要

本发明提供一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上沉积一定厚度金属氮化物以及对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理以形成金属硬掩膜层，而紫外光照射氮化处理和热回流处理能够使得金属氮化物内部进行充分的氮化反应和收缩，产生趋向拉伸的应力，从而能够有效改善金属硬掩膜层的平整度，不影响金属硬掩膜层电阻率均匀性，同时又充分释放和减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性，提高了金属硬掩膜层下层薄膜的品质。

主权项

一种金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积一定厚度的金属氮化物；对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理，形成预定义厚度的金属硬掩膜层，最后进行热回流处理。