| 发明名称 | InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法，所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底的中间部位，其形状为铲子形，一端为铲子的头部，另一端为柄部；铲形头部的前半部分为矩形结构，后半部分的宽度逐渐减小并对接到柄部；一芯层，其制作在下包层的上面，其形状与下包层一致；一上包层，其制作在芯层柄部的上面及铲子头部的后半部分，且其形状为条状结构。本发明可以解决边入射器件中与光纤耦合效率较低的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103487883A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310424535.7 | 申请日期 | 2013.09.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 吕倩倩;韩勤;崔荣;李彬;尹伟红;杨晓红 |
| 分类号 | G02B6/136(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/136(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底的中间部位，其形状为铲子形，一端为铲子的头部，另一端为柄部；铲形头部的前半部分为矩形结构，后半部分的宽度逐渐减小并对接到柄部；一芯层，其制作在下包层的上面，其形状与下包层一致；一上包层，其制作在芯层柄部的上面及铲子头部的后半部分，且其形状为条状结构。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||