| 主权项 |
1.一种涂布液,其为形成含有下述式(I)所示复合金 属氧化物之强介电性铋系介电体薄膜之涂布液,其 特征为,含有至少由Bi、Ti之2种烷氧金属所形成之 复合烷氧金属,再使用水、或水与触媒进行水解- 部分缩合处理所得之凝胶-溶胶液, {Bi4-x、(Laz、B1-z)x}n(Ti3-y、Ay)O12+ (I) (式中,A为V、Cr、Mn、Si、Ge、Zr、Nb、Ru、Sn、Ta、与 W中所选出之至少1种金属元素,B为由不包含镧之稀 土族元素、Ca、Sr与Ba中所选出之至少1种金属元素 ,x、y、z各自为0≦x<4,0≦y≦0.3,0<z≦1所示之数,n为0 .7至1.4之数,为依金属组成比例决定之价数)。 2.如申请专利范围第1项之涂布液,其中,上述涂布 液再添加有烷醇胺。 3.如申请专利范围第1项之涂布液,其中,上述式(I) 中,x为0<x<4所示之数。 4.如申请专利范围第1项之涂布液,其中,上述式(I) 中,z为0<z<1所示之数。 5.如申请专利范围第1项之涂布液,其中,上述式(I) 中,y为0<y≦0.3所示之数。 6.如申请专利范围第1项之涂布液,其中,上述式(I) 中,A金属元素为Ge,且y=0.05至0.20之数。 7.如申请专利范围第1项之涂布液,其中所含有之Bi 、Ti与A金属元素(其中亦有不含A金属元素之情形) 之比例,为Bi:(Ti+A)=1.07至1.15:1(莫耳比)之比例。 8.一种涂布液,其为形成含有下述式(I)所示复合金 属氧化物之常介电性之铋系介电体薄膜之涂布液, 其特征为,含有至少由Bi、Ti之2种烷氧金属所形成 之复合烷氧金属,或含有至少由烷氧化铋与烷氧化 钛混合所得之混合烷氧金属,再使用水、或水与触 媒进行水解-部分缩合处理所得之凝胶-溶胶液, {Bi4-x、(Laz、B1-z)x}n(Ti3-y、Ay)O12+ (I) (式中,A为V、Cr、Mn、Si、Ge、Zr、Nb、Ru、Sn、Ta、与 W中所选出之至少1种金属元素,B为由不包含镧之稀 土族元素、Ca、Sr与Ba中所选出之至少1种金属元素 ,x、y、z各自为0≦x<4,0≦y≦0.3,0<z≦1所示之数,n为0 .7至1.4之数,为依金属组成比例决定之价数)。 9.如申请专利范围第8项之涂布液,其中,上述涂布 液再添加有烷醇胺。 10.如申请专利范围第8项之涂布液,其中,上述式(I) 中,x为0<x<4所示之数。 11.如申请专利范围第8项之涂布液,其中,上述式(I) 中,z为0<z<1所示之数。 12.如申请专利范围第8项之涂布液,其中,上述式(I) 中,y为0<y≦0.3所示之数。 13.如申请专利范围第8项之涂布液,其中所含有之Bi 、Ti与A金属元素(其中亦有不含A金属元素之情形) 之比例,为Bi:(Ti+A)=0.90至1.06:1(莫耳比)之比例。 14.一种常介电性铋系介电体薄膜之形成方法,其特 征为,将申请专利范围第8项之涂布液涂布于基板 上,于未施以加热乾燥处理下,进行500至700℃下之 加热处理(第1加热处理)以形成涂膜,并可配合需要 ,重复进行数次前述涂布至加热处理(第1加热处理) 之步骤以形成涂膜之层合物,其次,再进行600至700 ℃之加热处理(第2加热处理)。 15.一种含有下述式(I)所示复合金属氧化物之常介 电性铋系介电体薄膜,其为将申请专利范围第8项 之涂布液涂布于设置于基板上之电极上,并予烧培 而得者, {Bi4-x、(Laz、B1-z)x}n(Ti3-y、Ay)O12+ (I) (式中,A为V、Cr、Mn、Si、Ge、Zr、Nb、Ru、Sn、Ta、与 W中所选出之至少1种金属元素,B为由不包含镧之稀 土族元素、Ca、Sr与Ba中所选出之至少1种金属元素 ,x、y、z各自为0≦x<4,0≦y≦0.3,0<z≦1所示之数,n为0 .7至1.4之数,为依金属组成比例决定之价数)。 16.如申请专利范围第15项之薄膜,其中,所含有之Bi 、Ti与A金属元素(其中亦有不含A金属元素之情形) 之比例,为Bi:(Ti+A)=0.90至1.06:1(莫耳比)之比例。 图式简单说明: 图1为使用合成例1之涂布液所形成之介电体薄膜 之XRD曲线图。 图2为使用合成例2之涂布液所形成之介电体薄膜 之XRD曲线图。 图3-1为使用合成例1之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图3-2为使用合成例2之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图4为使用合成例3之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图5为使用合成例4之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图6为使用合成例4之涂布液所形成之介电体元件 之泄漏特性图。 图7为使用合成例5之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图8为使用合成例5之涂布液所形成之介电体元件 之泄漏特性图。 图9为使用合成例2之涂布液所形成之介电体薄膜( 常介电性)之XRD曲线图。 图10为使用合成例2之涂布液所形成之介电体元件( 常介电性)之磁滞曲线图。 图11为使用合成例2之涂布液所形成之介电体元件( 常介电性)之泄漏特性图。 图12为使用合成例6-13之涂布液所形成之介电体薄 膜之XRD曲线图。 图13为使用合成例9之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图14为使用合成例9之涂布液所形成之介电体元件 之泄漏特性图。 图15为使用合成例10之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图16为使用合成例10之涂布液所形成之介电体元件 之泄漏特性图。 图17为使用合成例11之涂布液所形成之介电体元件 之磁滞曲线图。 图18为使用合成例11之涂布液所形成之介电体元件 之泄漏特性图。 |
