| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置，具备设于体区(104)的第二导电类型的接触区(201)，并且接触区(201)包括：与第一欧姆电极(122)接触的第一区域(201a)、和在比第一区域(201a)更深的位置上所配置且与体区(104)接触的第二区域(201b)，第一区域(201a)和第二区域(201b)分别具有至少1个杂质浓度的峰值，第一区域(201a)的杂质浓度的峰值是比第二区域(201b)的杂质浓度的峰值高的值。 | ||
| 申请公布号 | CN103477439A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201180026176.9 | 申请日期 | 2011.08.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 工藤千秋;庭山雅彦;池上亮 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中，具备：第一导电类型的半导体基板，其具有主面和背面，且含有碳化硅；第一导电类型的第一外延层，其设置在所述半导体基板的主面上，且含有碳化硅；第二导电类型的体区，其设置在所述第一外延层；第一导电类型的杂质区，其按照与所述体区接触的方式设置；第二导电类型的接触区，其设置在所述体区；第一欧姆电极，其与所述接触区接触；栅极绝缘膜，其设置在所述体区的至少一部分的上方；和栅极电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，并且，所述接触区包含：与所述第一欧姆电极接触的第一区域、和在比所述第一区域深的位置所配置且与所述体区接触的第二区域，所述第一区域和所述第二区域在深度方向，分别具有至少1个杂质浓度的峰值，所述第一区域中的所述至少1个杂质浓度的峰值，是比所述第二区域中的所述至少1个杂质浓度的峰值高的值，所述第二区域的底面设置在：比所述杂质区的底面深、且比所述体区的底面浅的位置。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||