包含渐变厚度势磊的 LED 结构外延生长方法及其结构

摘要

本发明提供了一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，生长发光层MQW的步骤为：在温度为730-750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa（1-x）N层，x=0.20-0.21；将反应室温度调节为800-840℃，通入R时长的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；重复生长InGaN层，通入0.75-0.95倍R时长的三甲基镓，生成厚度为0.75-0.95倍D的第二个GaN层；依次类推，GaN层厚度逐层减小。本发明改变了发光层的势磊GaN厚度，使其依次减少，从而改善电子和空穴的分布，提高LED光效。

主权项

一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，所述生长发光层MQW的步骤为：A、在温度为730‑750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21；将反应室温度调节为800‑840℃，通入总时长为R的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；B、将反应室温度调节为730‑750℃，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21，In的掺杂浓度为1E+20‑2E+20atom/cm3；将反应室温度调节为800‑840℃，通入三甲基镓；通入总时长为(0.75‑0.95)×R倍的三甲基镓，生长出厚度为(0.75‑0.95)×D的第二个GaN层；C、将反应室温度调节为730‑750℃，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21；将反应室温度调节为800‑840℃，通入三甲基镓；通入总时长为（0.75‑0.95）n×R倍的三甲基镓，三甲基镓的通入时长为上一个步骤通入时长R的0.75‑0.95倍，生长出厚度为（0.75‑0.95）n×D的第N个GaN层；D、重复C步骤，直至生成12‑16个InxGa（1‑x）N/GaN层。