Verfahren zur Reduzierung der Leckströme in dielektrischen Materialien mit Metallgebieten und einer Metalldeckschicht in Halbleiterbauelementen

摘要

Verfahren mit: Ausführen einer Prozesssequenz an einem Halbleiterbauelement, wobei die Prozesssequenz eine Teilmenge aus Prozessen zum Aufbringen einer nasschemischen Lösung auf ein erstes dielektrisches Material und zum Entfernen der nasschemischen Lösung von dem ersten dielektrischen Material enthält; Ausführen einer Wärmebehandlung in einer sauerstoffarmen Umgebung, die 50 ppm an Sauerstoff oder weniger enthält, um einen verbesserten Oberflächenzustand des ersten dielektrischen Materials zu erhalten, wodurch bei einer angelegten Spannung parasitäre Leckströme in dem ersten dielektrischen Material reduziert werden; und Bilden eines zweiten dielektrischen Materials zumindest auf dem ersten dielektrischen Material nach der Wärmebehandlung.