主权项 |
一种应用于低频可变增益放大器的直流偏移消除电路,其中可变增益放大器包含:输入差分对、电流缓冲器和共源输出级;直流偏移消除电路包含:跨导放大器和极小电流源偏置;其特征在于:跨导放大器的输入连接至可变增益放大器的输出端,用于将输出直流偏移电压转化为电流;跨导放大器的输出连接至可变增益放大器前级差分对的输出电流加和节点构成负反馈回路;所述的跨导放大器的输入端是晶体管层叠式连接的源漏极;跨导放大器的输出压控电流源之前用晶体管电容作为负载;所述跨导放大器含有:PMOS管Mc1、Mc2、Mc3、Mc4、Mc5、Mc6、Mc7、Mc8、Mc17、Mc18、Mc21、Mc22、Mc25、Mc26;NMOS管Mc9、Mc10、Mc11、Mc12、Mc13、Mc14、Mc15、Mc16、Mc19、Mc20、Mc23、Mc24、Mc27、Mc28;两个电阻Rc1、Rc2,其中:所述电阻Rc1、Rc2连接可变增益放大器的输出至以层叠式结构连接的NMOS管Mc9、Mc10、Mc11、Mc12、Mc13、Mc14、Mc15、Mc16的源漏极构成所述跨导放大器的输入级;所述PMOS管Mc1、Mc2、Mc3、Mc4、Mc5、Mc6、Mc7、Mc8作为所述跨导放大器输入级的有源负载通过漏极连接至NMOS管Mc9、Mc10、Mc13、Mc14的漏极;所述NMOS管Mc27、Mc28和PMOS管Mc25、Mc26作为所述跨导放大器输入级的负载电容通过栅极连接至所述NMOS管Mc10、Mc13和PMOS管Mc4、Mc7的漏极;所述PMOS管Mc17、Mc18、Mc21、Mc22和NMOS管Mc19、Mc20、Mc23、Mc24作为所述跨导放大器的压控电流源输出级通过栅极连接至所述NMOS管Mc10、Mc13和PMOS管Mc4、Mc7的漏极,通过漏极连接至所述可变增益放大器的电流加和节点。 |