发明名称 |
太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
本申请公开了一种太阳能电池,包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电池的制作方法。与传统电池相比,本发明集成了GaInAs基电池膜层与AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层,键合后形成的五结高效低成本叠层太阳电池结构跟太阳光谱匹配得更好,从而提升电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN103426965A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201310359308.0 |
申请日期 |
2013.08.16 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
王乃明;郑新和;吴渊渊;甘兴源;王海啸;杨辉 |
分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种太阳能电池,其特征在于,包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |