发明名称 同时提供零温度系数电压和电流基准的V<sub>GS</sub>/R型基准源
摘要 本发明公开了一种同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源,涉及CMOS集成电路技术,包括两个PMOS管,两个NMOS管,一个负温度系数电阻和一个正温度系数电阻。本发明的VGS/R型基准源电路,在传统的VGS/R型电路的基础上增加了一个正温度系数的电阻。相比于传统的VGS/R型基准源电路只可以提供一个恒电流基准,改进的电路除了可提供一个恒电流基准外,还可以同时提供一个零温度系数的恒电压基准。同时,该改进结构不增加任何功耗,且结构简单,功耗低,版图面积小。
申请公布号 CN102385409B 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201110311069.2 申请日期 2011.10.14
申请人 中国科学院电子学研究所 发明人 朱文锐;杨海钢
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源,用于无线射频识别标签,包括两个PMOS管(PM1、PM2),两个NMOS管(NM1、NM2),一个负温度系数电阻(RCTAT);PM1管的源极和PM2管的源级接VDD;PM1管的漏极分别接NM1管的漏极和NM2管的栅极;PM1管的栅极分别接PM2管的栅极和漏极,及NM2管的漏极;NM1管的栅极接负温度系数电阻(RCTAT)的一端,NM1管的源极分别接负温度系数电阻(RCTAT)的另一端和地;其特征在于,还包括一个正温度系数电阻(RPTAT);其中,NM2管的源极接正温度系数电阻(RPTAT)的一端,正温度系数电阻(RPTAT)的另一端接NM1管栅极和负温度系数电阻(RCTAT)一端的接点;其中,电路的输出基准电压VREF:VREF=IREF·(RCTAT+RPTAT)   (5)其中,VREF是本发明电路的输出电压,IREF为本发明电路的输出电流;RCTAT和RPTAT分别代表本发明电路中RCTAT和RPTAT电阻的阻值;当 <mrow> <mfrac> <msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>R</mi> </mrow> <mi>CTAT</mi> </msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mo>-</mo> <mfrac> <msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>R</mi> </mrow> <mi>PTAT</mi> </msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> </mrow>时, <mrow> <mfrac> <msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>V</mi> </mrow> <mi>REF</mi> </msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>REF</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>R</mi> </mrow> <mi>PTAT</mi> </msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>+</mo> <mfrac> <msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>R</mi> </mrow> <mi>CTAT</mi> </msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mn>0</mn> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>6</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>VREF为零温度系数的恒电压基准;当负温度系数电阻(RCTAT)与NM1管满足下式: <mrow> <mfrac> <msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>R</mi> </mrow> <mi>CTAT</mi> </msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> <mo>&CenterDot;</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>REF</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>V</mi> </mrow> <mrow> <mi>T</mi> <mn>1</mn> </mrow> </msub> <mrow> <mo>&PartialD;</mo> <mi>T</mi> </mrow> </mfrac> </mrow>且负温度系数电阻(RCTAT)与正温度系数电阻(RPTAT)满足式(6)时,在正温度系数电阻(RPTAT)与NM1管的连接端能够产生一零温度 系数的电压基准。
地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号
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