| 发明名称 | 半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法，所述半导体鳍条的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。通过上述方案，采用选择性外延生长与各向异性刻蚀工艺相结合的方式，无需采用光刻技术，能够保证半导体鳍条与栅氧化层的表面相互垂直，并且降低了半导体鳍条表面的粗糙度、形成侧面光滑的鳍条。 | ||
| 申请公布号 | CN103413758A | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201310300403.3 | 申请日期 | 2013.07.17 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 赵静 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人 | 唐华明 |
| 主权项 | 一种半导体鳍条的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||