| 发明名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种FinFET及其制造方法，该FinFET包括：蚀刻停止层，位于半导体衬底上；半导体鳍片，位于蚀刻停止层上；栅极导体层，沿着垂直于鳍片的延伸方向而延伸，并且至少覆盖半导体鳍片的两个侧面；栅极介质层，夹在栅极导体层和半导体鳍片之间；源区和漏区，位于半导体鳍片的两端；以及绝缘间隔层，在栅极介质层的下方与蚀刻停止层邻接，用于将栅极导体层与蚀刻停止层和半导体鳍片电隔离。该FinFET的鳍片高度大致等于用于形成半导体鳍片的半导体层的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN103390637A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210141545.5 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;何卫;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种FinFET，包括：蚀刻停止层，位于半导体衬底上；半导体鳍片，位于蚀刻停止层上；栅极导体层，沿着垂直于鳍片的延伸方向而延伸，并且至少覆盖半导体鳍片的两个侧面；栅极介质层，夹在栅极导体层和半导体鳍片之间；源区和漏区，位于半导体鳍片的两端；以及绝缘间隔层，在栅极介质层的下方与蚀刻停止层邻接，用于将栅极导体层与蚀刻停止层和半导体鳍片电隔离。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||