| 发明名称 | 一种多晶硅栅电极的离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅栅电极的离子注入方法，属于半导体制造技术领域。在该方法中，设置所述离子注入的能量参数以减小所述多晶硅栅电极在离子注入过程中产生的形变。因此，本发明的离子注入方法对多晶硅栅电极的形貌影响小，能提高MOS器件的制造良率并提高其可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103390546A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210139313.6 | 申请日期 | 2012.05.08 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 陈清;蒋玮玲 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 唐立;李浩 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅电极的离子注入方法，其特征在于，设置所述离子注入的能量参数以减小所述多晶硅栅电极在离子注入过程中产生的形变。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||