半导体装置的制造方法，半导体装置的制造装置，电脑程式及记忆媒体

摘要

制造一种可抑止有机杂质层的形成，且铜膜与形成底层的金属的密着性佳之半导体装置。;被覆有由钛等的氧化倾向高的金属所构成的势垒金属层13(底层膜)之基板(晶圆W)会被载置于处理容器内。与水蒸气的供给开始同时或其后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)所构成的原料气体，而于藉由水蒸气来形成氧化物层13a的势垒金属层13的表面形成铜膜。其次，对该晶圆W施以热处理，而使氧化物层13a变换成构成势垒金属层13的金属与铜的合金层13b。