| 发明名称 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的第一半导体层；形成在第一半导体层之上的第二半导体层；绝缘膜，其包括形成在第二半导体层之上的第一绝缘膜及依次形成在第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第三绝缘膜；以及形成在绝缘膜之上的电极，其中，在第一绝缘膜中，在设置有电极的区域的下方形成有包含卤素离子的区域，以及第三绝缘膜包含卤素。 | ||
| 申请公布号 | CN103367423A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310096622.4 | 申请日期 | 2013.03.25 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 金村雅仁 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层之上的第二半导体层；绝缘膜，所述绝缘膜包括形成在所述第二半导体层之上的第一绝缘膜及依次堆叠在所述第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第三绝缘膜，以及形成在所述绝缘膜之上的电极，其中在所述第一绝缘膜中，在设置有所述电极的区域下方形成有包含卤素离子的区域，以及所述第三绝缘膜包含卤素。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||