| 摘要 |
本发明提供一种记忆体单元(36、110)，藉由注入电荷至该记忆体单元之一电荷储存层(42、116)中而程式化该记忆体单元。所要程式化电荷在该记忆体单元之一通道区域之一边缘部分上产生于该电荷储存层中。不当程式化电荷在该通道区域之内部部分上产生于该电荷储存层中。使用电荷穿隧来大体上移除该电荷储存层中之不当程式化电荷。在一形式中，该记忆体单元具有：一具有一通道区域之基板(38、112)、该基板上之一第一介电层(40、114)及该第一介电层上之一电荷储存层(42、116)。该电荷储存层上之一第二介电层(44、130)具有一比一第二部分(106)厚之第一部分(58或54、104或108)以选择性地控制电荷穿隧。 |
