双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备方法，包括步骤：1)沟槽刻蚀；2)淀积氮化硅；3)回刻，除去沟槽侧壁以外区域的氮化硅；4)刻蚀形成底部沟槽区域；5)第一次局部硅氧化，在底部沟槽区域生长热氧化层；6)沉积第一层多晶硅并回刻；7)第二次局部硅氧化，在第一层多晶硅表面生长热氧化层；8)刻蚀掉沟槽侧壁的氮化硅，按照常规工艺完成双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备。本发明利用SiN阻挡沟槽侧壁及表面氧化层的生长，使两层多晶硅间可以生长足够厚度的热氧化层，同时，通过LOCOS调节底部沟槽尺寸，从而使器件的栅极耐压能力得以提升。

主权项

双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅基板上刻蚀沟槽，刻蚀完成后，保留沟槽顶部的刻蚀阻挡层；2)淀积氮化硅；3)回刻氮化硅，除去沟槽侧壁以外区域的氮化硅；4)刻蚀形成底部沟槽区域；5)第一次局部硅氧化，在底部沟槽区域生长热氧化层；6)沉积第一层多晶硅并回刻；7)第二次局部硅氧化，在第一层多晶硅表面生长热氧化层；8)刻蚀掉沟槽侧壁的氮化硅，按照常规工艺完成双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备。