| 发明名称 | 跨域静电放电保护方案 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种跨域静电放电保护方案。实施例包含将第一电力钳位耦接至第一电力轨与第一接地轨；提供第一NMOS晶体管，其具有第一源极、第一漏极与第一栅极；将该第一源极耦接至第二接地轨；提供第一PMOS晶体管，其具有第二源极、第二漏极与第二栅极；将该第二源极耦接至该第一电力轨；以及于发生在该第一电力轨处的静电放电事件期间，经由该第一电力钳位提供信号以导通该第一NMOS晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103311239A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310072535.5 | 申请日期 | 2013.03.07 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | 赖大伟;林盈彰 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种电路，其包括：第一电力钳位，其耦接至第一电力轨与第一接地轨；第一NMOS晶体管，其具有第一源极、第一漏极与第一栅极，其中，该第一源极耦接至第二接地轨；以及第一PMOS晶体管，其具有第二源极、第二漏极与第二栅极，其中，该第二源极耦接至该第一电力轨，且于发生在该第一电力轨处的ESD事件期间，该第一电力钳位提供用以导通该第一NMOS晶体管的信号。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||