发明名称 HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN HIERFÜR
摘要 Bei einem Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung wird ein Deckel (60) zum Unterbinden des Austritts eines zweiten Versiegelungsteils (51) in einen zweiten Öffnungsabschnitt (22) eingesetzt, und das zweite Versiegelungsteil (51) wird in flüssiger Form von einem ersten Öffnungsabschnitt (21) her so eingespritzt, dass das zweite Versiegelungsteil (51) Abstände zwischen den Leitern (11) durchtritt und von hinten her an die Leiter (11) bzw. dortige zweite Oberflächen (10b) gelangt. Der Deckel (60) umfasst wenigstens einen Austrittabschnitt, und Leerstellen in Form von Lufteinschlüssen oder dergleichen in dem zweiten Versiegelungsteil (51), welche an die zweite Oberfläche (10b) eines jeden Leiters (11) herangelangen könnten, werden von der zweiten Oberfläche (10b) eines jeden Leiters (11) durch diesen Austrittsabschnitt wegbewegt.
申请公布号 DE102013203561(A1) 申请公布日期 2013.09.12
申请号 DE201310203561 申请日期 2013.03.01
申请人 DENSO CORPORATION 发明人 ISHII, ITARU
分类号 H01L21/56;H01L21/52;H01L23/16;H01L23/495 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人
主权项
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