发明名称 半导体元件
摘要 本发明是有关于一种半导体元件,包括一基材、一金属层、一绝缘层、一半导体层、一漏极以及一源极。基材具有一表面以及一第一凹槽。金属层配置于基材上,且覆盖表面以及第一凹槽的内壁,而定义出一对应第一凹槽的第二凹槽。绝缘层覆盖金属层与第二凹槽的内壁,而定义出一对应第二凹槽的第三凹槽。半导体层暴露出部分绝缘层且覆盖第三凹槽的内壁,而定义出一对应第三凹槽的第四凹槽。漏极与源极配置于半导体层上,且覆盖部分半导体层与部分绝缘层。漏极与源极暴露出第四凹槽。
申请公布号 CN103296061A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201210128467.5 申请日期 2012.04.27
申请人 元太科技工业股份有限公司 发明人 蓝纬洲;辛哲宏;王裕霖;叶佳俊
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L29/06(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种半导体元件,配置于一基板上,其特征在于,该半导体元件包括:一基材,具有一表面以及一位于该表面的第一凹槽;一金属层,配置于该基材上,且覆盖该表面及该第一凹槽的内壁,而定义出一对应该第一凹槽的第二凹槽;一绝缘层,配置于该金属层上,且覆盖该金属层与该第二凹槽的内壁,而定义出一对应该第二凹槽的第三凹槽;一半导体层,配置于该绝缘层上,且暴露出部分该绝缘层,该半导体层覆盖该第三凹槽的内壁,而定义出一对应该第三凹槽的第四凹槽;一漏极,配置于该半导体层上,且覆盖部分该半导体层与部分该绝缘层,其中该漏极暴露出该第四凹槽;以及一源极,配置于该半导体层上,且覆盖部分该半导体层与部分该绝缘层,其中该源极暴露出该第四凹槽。
地址 中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号