发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种静电放电保护电路。该静电放电保护电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、检测单元以及触发单元。其中,该第一NMOS晶体管,耦接于电源线;该第二NMOS晶体管的漏极耦接于该第一NMOS晶体管以及该第二NMOS晶体管的源极耦接于地;该检测单元,用于当静电放电事件发生于该电源线时提供检测信号;该触发单元,用于按顺序导通该第二NMOS晶体管和该第一NMOS晶体管以响应该检测信号,使得通过该第一NMOS晶体管和该第二NMOS晶体管形成从该电源线到地的放电路径。本发明提出的静电放电保护电路,可使集成电路的电子元件避免静电放电损害。 | ||
申请公布号 | CN103247621A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
申请号 | CN201310044884.6 | 申请日期 | 2013.02.05 |
申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 庄健晖 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 于淼;杨颖 |
主权项 | 一种静电放电保护电路,其特征在于,包括:第一NMOS晶体管,耦接于电源线;第二NMOS晶体管,该第二NMOS晶体管的漏极耦接于该第一NMOS晶体管以及该第二NMOS晶体管的源极耦接于地;检测单元,用于当静电放电事件发生于该电源线时提供检测信号;以及触发单元,用于按顺序导通该第二NMOS晶体管和该第一NMOS晶体管以响应该检测信号,使得通过该第一NMOS晶体管和该第二NMOS晶体管形成从该电源线到地的放电路径。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 |