具有边缘终端结构的半导体器件

摘要

本发明涉及具有边缘终端结构的半导体器件。半导体器件包括含有第一表面、内部区和边缘区的半导体本体、在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区、与第一器件区一起在内部区中形成器件结的第二器件区以及从第一表面延伸到半导体本体中的多个至少两个介电区。在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离。半导体器件进一步包括被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区的电阻层。

主权项

一种半导体器件，其包括：半导体本体，所述半导体本体包括第一表面、内部区和边缘区；在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区；第二器件区，所述第二器件区与第一器件区一起在内部区中形成器件结；多个至少两个介电区，所述多个至少两个介电区从第一表面延伸到半导体本体中，其中在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离；以及电阻层，所述电阻层被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区。