| 发明名称 | 光电转换装置、图像拾取系统和光电转换装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开内容涉及光电转换装置、图像拾取系统和光电转换装置的制造方法。光电转换区段包含具有叠层结构的半导体元件，叠层结构包含导电体、半导体和设置在导电体与半导体之间的绝缘体，其中，绝缘体是在位于导电体与半导体之间的主部分中包含氮的硅氧化物膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103219348A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310019208.3 | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 广田克范 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 罗银燕 |
| 主权项 | 一种光电转换装置，包括：光电转换区段，所述光电转换区段包含具有叠层结构的半导体元件，所述叠层结构包含导电体、半导体和设置在所述导电体与所述半导体之间的绝缘体，所述绝缘体是在位于所述导电体与所述半导体之间的主部分中包含氮的硅氧化物膜，所述主部分的最大氮浓度高于0.10原子%，以及所述半导体与所述主部分之间的界面的氮浓度为0.10原子%或更低。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||