紫外选择性硅雪崩光电探测芯片

摘要

本发明提出的一种紫外选择性硅雪崩探测芯片，P+光吸收层（4）以小于200nm的厚度相连N型层（3），N+欧姆接触层（5）对称于P+光吸收层（4），在N+欧姆接触层（5）的两边，设有高掺杂深扩散区穿通整个N-型外延层（2），使雪崩区之外的整个芯片处于同一电位的P+深扩散区（6），该P+深扩散区（6）通过N-型外延层（2）上端平面设置的氮化硅钝化层（9），经芯片阳极（7）、芯片阴极（8）与N+欧姆接触层（5）互连。本发明以超浅的光吸收层避免光生载流子在表面附近复合，在电场的加速作用下产生碰撞离化效应，实现光生载流子的雪崩倍增；通过高掺杂深扩散区穿通整个外延层，实现对紫外波段的选择性探测。

主权项

一种紫外选择性硅雪崩探测芯片，包括位于P型硅衬底（1）上的N‑型外延层（2）和位于N‑型外延层（2）上的芯片阳极（7）、芯片阴极（8）及氮化硅钝化层（9），以及位于N‑型外延层（2）中部平面下方与P+型光吸收层（4）重叠的N型层（3），其特征在于，P+光吸收层（4）以小于200 nm的厚度相连N型层（3），N+欧姆接触层（5）对称于P+光吸收层（4），在N+欧姆接触层（5）的两边，设有高掺杂深扩散区穿通整个N‑型外延层（2），使雪崩区之外的整个芯片处于同一电位的P+深扩散区（6），该P+深扩散区（6）通过N‑型外延层（2）上端平面设置的氮化硅钝化层（9），经芯片阳极（7）、芯片阴极（8）与N+欧姆接触层（5）互连。