一种RRAM写电路

摘要

本发明提出一种RRAM写电路，包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括M行N列存储单元，其中每个存储单元包括一个电阻和一个晶体管，其中，晶体管的漏极经过电阻与位线相连，晶体管的栅极与字线相连，每一列晶体管的源极相连；和限流模块，限流模块包括与N列存储单元相对应的N个限流晶体管，限流晶体管的漏极与对应列的存储单元的源极相连，限流晶体管的栅极接限流电压，限流晶体管的源极与源线相连。本发明提出了置位过程中位线限流的RRAM写电路，在不增加面积的情况下，使得译码电路结构简单，而且能够并行写入包含‘0’和‘1’的多位数据信号。

主权项

一种RRAM写电路，其特征在于，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括M行N列存储单元，其中每个所述存储单元包括一个电阻和一个晶体管，其中，所述晶体管的漏极经过所述电阻与位线相连，所述晶体管的栅极与字线相连，每一列所述晶体管的源极相连；和限流模块，所述限流模块包括与N列存储单元相对应的N个限流晶体管，所述限流晶体管的漏极与对应列的所述存储单元的源极相连，所述限流晶体管的栅极接限流电压，所述限流晶体管的源极与源线相连。