用在薄膜晶体管应用中的砷化镓基材料

摘要

本发明的实施例提供一种形成用在薄膜晶体管器件中的III-V族材料的方法。在一个实施例中，由溶液型前驱物所形成的含有或不含掺杂剂的砷化镓基(GaAs)层可用于薄膜晶体管器件中。可将由溶液型前驱物所形成的砷化镓基层并入薄膜晶体管器件中以增进器件性能和器件速度。在一个实施例中，薄膜晶体管结构包含设置于基板上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上方的砷化镓基层及邻接砷化镓基层而设置的源极-漏极金属电极层。

主权项

一种薄膜晶体管结构，所述结构包含：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于基板上；砷化镓基层，所述砷化镓基层设置于所述栅极绝缘层上方；以及源极‑漏极金属电极层，所述源极‑漏极金属电极层设置为邻接所述砷化镓基层。