发明名称 |
半导体存储器件及其操作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法,在所述半导体存储器件及其操作方法中,包括存储器单元的存储器块划分成存储器组。在编程操作期间,施加到与每个存储器组中所包括的存储器单元相耦接的位线的位线电压的电平根据行译码器与每个存储器组之间的距离而改变。可以改善半导体存储器件中的存储器单元的阈值电压分布特性而不使编程性能恶化。 |
申请公布号 |
CN103177766A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201210460248.7 |
申请日期 |
2012.11.15 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
林锺淳 |
分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
周晓雨;俞波 |
主权项 |
一种半导体存储器件,包括:存储器块,所述存储器块具有存储器组,每个存储器组包括与字线耦接的单元串;行译码器,所述行译码器被配置成在编程操作期间将编程电压施加到选中的字线;以及位线电压供应电路,所述位线电压供应电路被配置成将位线电压施加到与耦接至所述选中的字线的存储器单元之中的根据输入数据而确定的编程目标单元相耦接的位线,其中,所述位线电压的电平根据所述行译码器与包括所述编程目标单元的存储器组之间的距离而改变。 |
地址 |
韩国京畿道 |