发明名称 |
一种选择性掺杂异质结太阳能电池 |
摘要 |
本发明涉及一种选择性掺杂异质结太阳能电池,包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极,N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层,非晶硅层内含有从N型晶硅层扩散入的磷元素,非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结,非晶硅层具有容顶电极穿过的槽,氮化硅抗反射层嵌入槽内,非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘,N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。本结构电池的非晶硅薄膜与电池上表面的结合更紧密,提高了异质结的质量,同时选择性掺杂顶电极区的存在可以进一步减小电池的串联电阻,提高电池的性能。电池中的异质结和选择性顶电极区同步形成,减少了电池的制备工艺步骤,电池中杂质浓度的分布更均匀。 |
申请公布号 |
CN103165697A |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201310110554.2 |
申请日期 |
2013.04.01 |
申请人 |
南通大学 |
发明人 |
花国然;王强;孙树叶;朱海峰 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 |
代理人 |
石敏 |
主权项 |
一种选择性掺杂异质结太阳能电池,包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极,其特征在于:所述N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层,所述非晶硅层内含有从所述N型晶硅层扩散入的磷元素,非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结,所述非晶硅层具有容顶电极穿过的槽,所述氮化硅抗反射层嵌入所述槽内,非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘,所述N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。 |
地址 |
226019 江苏省南通市啬园路9号南通大学电子信息学院 |