具独立可变之化学气相沉积层、同形性、应力及组成的极低温化学气相沉积制程

摘要

一种在工件上沈积含矽、氮、氢或氧中任何元素之涂层的低温制程，其包括下列步骤：将该工件放置在反应室中并面向反应室制程区；将含矽、氮、氢或氧中任何元素的制程气体引入反应室；藉由在反应室外部再进入管的一部分施加约10MHz高频射频电浆源功率并形成再进入路径一部分的方式，而在通过制程区的再进入路径中形成环形射频电浆流；向工件施加一或几MHz低频射频电浆偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。