| 发明名称 | 相变随机存取存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变随机存取存储器件及其制造方法。所述相变随机存取存储器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的开关元件；形成在所述开关元件上的多个相变结构；以及掩埋在所述多个相变结构之间的吸热层，其中，所述多个相变结构与所述吸热层绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN103137863A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201210298827.6 | 申请日期 | 2012.08.21 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 朴南均 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 石卓琼;俞波 |
| 主权项 | 一种相变随机存取存储器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的开关元件；形成在所述开关元件上的多个相变结构；以及掩埋在所述多个相变结构之间的吸热层，其中，所述多个相变结构与所述吸热层绝缘。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||