| 发明名称 | 半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法，所述半导体存储装置包括：编程脉冲发生模块，所述编程脉冲发生模块被配置成响应于编程使能信号而产生第一写入控制信号、第二写入控制信号以及编程完成信号；设定编程控制电路，所述设定编程控制电路被配置成响应于擦除命令和所述编程完成信号而重复产生设定编程使能信号预定的次数；以及控制器，所述控制器被配置成响应于所述擦除命令而禁止所述第一写入控制信号，并响应于所述设定编程使能信号而产生所述编程使能信号。 | ||
| 申请公布号 | CN103137195A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201210210325.3 | 申请日期 | 2012.06.21 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 安龙福 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;郭放 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，包括：编程脉冲发生模块，所述编程脉冲发生模块被配置成响应于编程使能信号而产生第一写入控制信号、第二写入控制信号以及编程完成信号；设定编程控制电路，所述设定编程控制电路被配置成响应于擦除命令和所述编程完成信号而重复产生设定编程使能信号预定的次数；以及控制器，所述控制器被配置成响应于所述擦除命令而将所述第一写入控制信号禁止，并响应于所述设定编程使能信号而产生所述编程使能信号。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||