发明名称 PLASMA ETCHING APPARATUS, PLASMA ETCHING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
摘要 <p>보다 정확하게 원하는 형상으로 에칭할 수 있는 플라즈마 에칭 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 에칭 처리 장치(11)는, 그 내부에서 피처리 기판에 플라즈마 처리를 행하는 처리 용기(12)와, 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부(13)와, 처리 용기(12) 내에 배치되고, 그 위에 피처리 기판(W)을 지지하는 지지대(14)와, 플라즈마 여기용의 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기(15)와, 마이크로파 발생기(15)에 의해 발생시킨 마이크로파를 이용하여 처리 용기(12) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단과, 처리 용기(12) 내의 압력을 조정하는 압력 조정 수단과, 지지대(14)로 교류의 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전력 공급 수단과, 바이어스 전력 공급 수단에서의 교류의 바이어스 전력을 정지 및 공급을 교호로 반복하여 행하도록 제어하는 제어 수단을 구비한다.</p>
申请公布号 KR101265231(B1) 申请公布日期 2013.05.23
申请号 KR20110093107 申请日期 2011.09.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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