发明名称 METHODS FOR SILICON ELECTRODE ASSEMBLY ETCH RATE AND ETCH UNIFORMITY RECOVERY
摘要 <p>세정 이후, 플라즈마 에칭 챔버에서 유전체 재료를 에칭하기 위해 사용될 수 있는 전극 어셈블리를 세정하는 방법은, 바람직하게는, 전극 어셈블리의 실리콘 표면으로부터 블랙 실리콘 오염물을 제거하기 위해 그 실리콘 표면을 연마하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101264448(B1) 申请公布日期 2013.05.14
申请号 KR20077016798 申请日期 2005.12.15
申请人 发明人
分类号 B44C1/22;C23F1/00 主分类号 B44C1/22
代理机构 代理人
主权项
地址