发明名称 一种雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统
摘要 本发明公开了一种雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)过剩噪声因子测量系统,涉及半导体光电子器件的测试技术领域。本系统包括:光源、光耦合组件以及检测单元;所述检测单元包括:芯片测试工装夹具、偏置器、数字源表、放大器、噪声功率测试设备;光源通过光耦合组件照射在待测APD样品上,样品APD通过测试探针夹具与偏置器相连,数字源表与偏置器直流端口相连,偏置器交流端口连接放大器输入端,噪声功率测试设备连接放大器输出端。本发明通过同步测量APD噪声功率以及增益,实时,快速,精确的得出APD的过剩噪声因子。
申请公布号 CN103091568A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201310021677.9 申请日期 2013.01.21
申请人 华中科技大学 发明人 赵彦立;李奕键;涂俊杰
分类号 G01R29/26(2006.01)I 主分类号 G01R29/26(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种雪崩光电二极管过剩噪声因子测量系统,其特征在于,包括:光源,光耦合组件以及检测单元;所述检测单元包括:芯片测试工装夹具,偏置器,数字源表以及噪声功率测试设备;所述光源通过所述光耦合组件照射在待测雪崩光电二极管样品上,样品雪崩光电二极管通过所述芯片测试工装夹具与所述偏置器相连,所述数字源表与所述偏置器的直流端口相连,所述偏置器交流端口连接所述放大器输入端,所述噪声功率测试设备连接所述放大器输出端。
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