| 摘要 |
本发明提供一种控制一钨膜之电阻率与形态之方法，该方法包含：在一第一沉积阶段期间，藉由下列步骤在一基材上沉积一块材钨层之一第一膜：(i)将一连续流动的还原气体与一脉冲式流动的含钨化合物导入一制程腔室，以在该基材之表面上沉积钨；(ii)使该还原气体而不使该含钨化合物流入该制程腔室，以净化该制程腔室；以及(iii)重复步骤(i)~(ii)，直到该第一膜填满了该基材之表面中的介层洞为止；增加该制程腔室中的压力；以及在该第一沉积阶段之后的一第二沉积阶段期间，藉由提供还原气体与含钨化合物流到该制程腔室而直到已沉积一第二期望厚度为止，以沉积该块材钨层之一第二膜。 |
