存储器中读操作参考电流的结构

摘要

本发明公开了一种存储器中读操作参考电流的结构；分布选取产生参考电流的存储单元，在存储阵列的中间位置和上下边缘加入作为参考电流产生单元的行，按照X方向地址分布平均选取N比特单元；与工艺偏差无关的参考电流产生电路，将选取的N比特单元电流相加再取平均值，即得到该参考电流。本发明通过选取存储阵列不同区域单元，取其平均电流的方法，有效避免了在工艺实现中产生的电流偏差问题，具有较高的可靠性，尤其在大容量存储器应用中优势更为明显。

主权项

一种存储器中读操作参考电流的结构；其特征在于，分布选取产生参考电流的存储单元，在存储阵列的中间位置和上下边缘加入作为参考电流产生单元的行，按照X方向地址分布平均选取N比特单元；与工艺偏差无关的参考电流产生电路，将选取的N比特单元电流相加再取平均值，即得到该参考电流。