半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构，其包括一基底、至少一功率金氧半导体场效电晶体、一浮置二极体或主体二极体、及至少一萧特基二极体。基底具有第一区、第二区以及第三区，其中第二区位于第一区及第三区之间。至少一功率金氧半导体场效电晶体配置于第一区。浮置二极体或主体二极体配置于第二区。至少一萧特基二极体配置于第三区。另外，功率金氧半导体场效电晶体及萧特基二极体之接触窗的材料包括钨并彼此电性连接。