| 发明名称 | 光电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电子器件（1），其用于特别是在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。所述光电子器件（1）包括载体（2）。在所述载体（2）上设有至少一个第一半导体芯片（3），所述第一半导体芯片（3）具有第一辐射出射面（13），以用于发射在第一光谱范围（14）中的电磁辐射。在所述载体（2）上设有至少一个第二半导体芯片（4），所述第二半导体芯片（4）具有第二辐射出射面（17），以用于发射在第二光谱范围（15）中的电磁辐射。在所述半导体芯片（3、4）的背离载体（2）的辐射出射面（13、17）上设有散射层（8）。 | ||
| 申请公布号 | CN103038880A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201180037026.8 | 申请日期 | 2011.07.22 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 亚历山大·林科夫;拉尔夫·维尔特 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I;H01L33/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 光电子器件（1），用于特别是在远场中混合不同波长的电磁辐射，所述光电子器件具有：‑载体（2）；‑至少一个设置在所述载体（2）上的第一半导体芯片（3），所述第一半导体芯片（3）具有第一辐射出射面（13），以用于发射在第一光谱范围中的电磁辐射（14）；‑至少一个设置在所述载体（2）上的第二半导体芯片（4），所述第二半导体芯片（4）具有第二辐射出射面（17），以用于发射在第二光谱范围中的电磁辐射（15）；‑其中，在所述半导体芯片（3、4）的背离所述载体（2）的所述辐射出射面（13、17）上设有散射层（8）。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||