发明名称 |
一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法 |
摘要 |
本发明属于新型透明导电材料领域,具体涉及一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法。本发明的方法是以未引入电极的太阳能电池片为基片,清洗后送入磁控溅射反应室,以纯Al为靶材进行磁控溅射得到20-300nm厚的Al薄膜,然后将基片置于气相沉积室内同时通入氧气和携带有Zn(CH2CH3)2的氩气,沉积得到50~600nm厚的ZnO薄膜,最后在氧气气氛下,于400-600℃对载有ZnO和Al薄膜的基片退火处理,得到ZnO/Al薄膜。本发明的制备工艺简单,沉积过程易于控制,透明导电薄膜的均匀性好,光电性能优异,以此作为太阳能电池的背电极,替代传统的铝金属电极,进一步提高了太阳能电池的转化效率。 |
申请公布号 |
CN103022255A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210575920.7 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
沈阳工程学院 |
发明人 |
张铁岩;鞠振河;张东;赵琰;李昱材 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大专利代理有限公司 21109 |
代理人 |
李运萍 |
主权项 |
一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法,其特征在于按照以下步骤进行:(1)以未引入电极的太阳能电池片为基片,依次用丙酮、乙醇和去离子水超声波清洗基片,用氮气吹干基片,送入磁控溅射反应室;(2)将磁控溅射反应室抽真空至9.0×10‑4 Pa后,将基片加热至100℃,并调整氩气流量使气压达到6Pa,以纯Al为靶材进行磁控溅射,控制溅射功率为100‑200W,溅射时间1‑8min,在基片上得到20‑300nm厚的Al薄膜;(3)用去离子水清洗上述溅射有Al薄膜的基片,然后将基片置于气相沉积室内加热到200℃,向气相沉积室内同时通入氧气和携带有Zn(CH2CH3)2的氩气,其中氩气和氧气流量之比为1:(100‑120),控制微波功率为650W,在有Al薄膜的基片上沉积得到50~600nm 厚的ZnO薄膜,然后用高纯氮气清洗气相沉积室,取出载有ZnO和Al薄膜的基片;(4)在氧气气氛下,于400‑600℃对载有ZnO和Al薄膜的基片退火处理30min,得到ZnO/Al薄膜。 |
地址 |
110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号 |