发明名称 |
制备四方相室温多铁性材料BiFeO<sub>3</sub>的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备四方相室温多铁性材料BiFeO3的方法。具体步骤为:在(001)LaAlO3单晶衬底上,先沉积一层NdAlO3薄膜作为缓冲层,然后沉积BiFeO3薄膜从而制备出单相的四方相结构的BiFeO3。本发明有效的克服了LaAlO3等衬底与四方相BiFeO3的晶格失配导致的晶格弛豫引起的相分离,能够制备出单相的四方相BiFeO3薄膜。 |
申请公布号 |
CN103014625A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210584892.5 |
申请日期 |
2012.12.28 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
徐庆宇;袁学勇 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种制备四方相室温多铁性材料BiFeO3的方法,其特征在于该方法包括以下步骤:1)、在(001)LaAlO3衬底上利用脉冲激光沉积方法先生长一层NdAlO3缓冲层;2)、在NdAlO3缓冲层上再继续利用脉冲激光沉积方法生长BiFeO3薄膜,即可得到四方相结构的BiFeO3薄膜。 |
地址 |
211189 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |