| 发明名称 | BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器及制法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；n型薄膜层与p型薄膜层均为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度可通过控制生长时间来控制，可根据需要从几十纳米到几微米不等；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节Be、Mg和Zn三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV-6.2eV。本发明通过BeMgZnO四元合金薄膜层作为吸收层，获得在日盲范围200nm到375nm响应的紫外探测器，从而覆盖整个日盲区。 | ||
| 申请公布号 | CN103022216A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210477645.5 | 申请日期 | 2012.11.22 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 汤子康;祝渊;苏龙兴;张权林;陈明明;陈安琪;桂许春;项荣;吴天准 |
| 分类号 | H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/103(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 陈卫 |
| 主权项 | 一种BeMgZnO基同质p‑n结构紫外探测器，其特征在于：包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；所述n型薄膜层与p型薄膜层均为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度在为200nm～1um；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV‑6.2eV。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 | ||