半导体装置

摘要

本发明提供能够抑制短沟道效应和阈值波动的半导体装置。该半导体装置包括：多个第一晶体管，形成在多层衬底的半导体层中的第一区域中，该多层衬底具有从半导体衬底开始依次在半导体衬底上的绝缘层和半导体层；多个第二晶体管，形成在半导体层中的第二区域中；第一杂质层，形成在半导体衬底中与第一区域相对的区域中；第二杂质层，形成在半导体衬底中与第二区域相对的区域中；以及第一隔离部分，使第一区域和第二区域彼此隔离，并且使第一杂质层和第二杂质层彼此电隔离以达到至少使在第一杂质层和第二杂质层之间流动的电流被阻断的程度。

主权项

一种半导体装置，包括：多个第一导电类型的第一晶体管，形成在多层衬底的半导体层中的第一区域中，所述多层衬底具有从半导体衬底开始依次在所述半导体衬底上的绝缘层和所述半导体层；多个第二导电类型的第二晶体管，形成在所述半导体层中的第二区域中；第一杂质层，形成在所述半导体衬底中与所述第一区域相对的区域中且在所述绝缘层的正下方，该第一杂质层主要包含所述第二导电类型的杂质；第二杂质层，形成在所述半导体衬底中与所述第二区域相对的区域中且在所述绝缘层的正下方，该第二杂质层主要包含所述第一导电类型的杂质；以及第一隔离部分，使所述第一区域和所述第二区域彼此隔离，并且使所述第一杂质层和所述第二杂质层彼此电隔离以达到至少使在所述第一杂质层和所述第二杂质层之间流动的电流被阻断的程度。