PROCEDE DE REALISATION D'UNE TRANCHEE PROFONDE DANS UN SUBSTRAT DE COMPOSANT MICROELECTRONIQUE

摘要

Un procédé de réalisation d'une tranchée profonde dans un substrat comprend une succession de cycles élémentaires de gravure gravant chacun une portion de la tranchée. Chaque cycle élémentaire comprend : ▪ un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; ▪ une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents, ladite gravure : o étant réalisée dans une atmosphère comprenant une espèce passivante ; et o comprenant au moins une première séquence de gravure suivie d'une deuxième séquence de gravure de puissance inférieure à puissance de la première séquence de gravure.