| 发明名称 | 用于半导体结构的欧姆触点 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于在半导体结构上形成欧姆触点的组合物和方法。所述组合物包含至少部分地与所述半导体结构邻接的TiAlxNy材料。所述TiAlxNy材料可为TiAl3。所述组合物可包含铝材料，所述铝材料邻接所述TiAlxNy材料的至少一部分，以便所述TiAlxNy材料在所述铝材料与所述半导体结构之间。所述方法包含使所述组合物退火以在所述半导体结构上形成欧姆触点。 | ||
| 申请公布号 | CN102947956A | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN201180031071.2 | 申请日期 | 2011.05.25 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 永军·杰夫·胡;约翰·马克·梅尔德里姆;山明·牟;艾弗里特·艾伦·麦克蒂尔 |
| 分类号 | H01L33/36(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种用于在半导体结构上形成欧姆触点的组合物，其包括：至少部分地与所述半导体结构邻接的TiAlxNy材料；其中所述半导体结构包括至少一种半导体材料；其中x和y不同时等于零；其中当y等于零时，x不等于1。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||