| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de réglage d'une machine d'exposition de photolithographie, comprenant des étapes de : formation sur un masque de photolithographie de motifs de test (P1, P2a) et des motifs de circuit, transfert des motifs dans une couche de résine recouvrant une plaquette, mesure d'une dimension critique de chaque motif de test transféré, et détermination d'une valeur d'erreur de réglage de mise au point de la machine de photolithographie à partir de la mesure de dimension critique de chaque motif, les motifs de test formés sur le masque comprenant un premier motif de test de référence (P1) et un second motif de test (P2a) formant pour un faisceau de photons émis par la machine de photolithographie et traversant le masque, un chemin optique présentant une longueur différente d'un chemin optique formé par le premier motif de test et les motifs de circuit formés sur le masque.</p> |
