一种高性能的宽带自举激励管芯结构

摘要

本发明公开了一种高性能的宽带自举激励管芯结构。本发明第一电阻R1、第一电容C1的一端均为射频输入端，第一电阻R1、第一电容C1的另一端与第一晶体管M1的基极相连接，第一晶体管M1的集电极与第二晶体管M2的发射极相连接，第一晶体管M1的发射极接地；第二晶体管M2的集电极外接三路，一路为射频输出端，输出射频信号；另一路外接漏极偏置电源VDD；再一路与第三电容C3的一端相连接；第三电容C3的另一端与第二晶体管M2的基极、第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端相连接；第二电阻R2的另一端与栅极偏置电源Vg相连接，第二电容C2的另一端接地。本发明管芯结构具有高输出功率，高效率，高稳定性。

主权项

一种高性能的宽带自举激励管芯结构，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一晶体管M1、第二晶体管M2、栅极偏置电源Vg、漏极偏置电源VDD；其特征在于：第一电阻R1、第一电容C1的一端均为射频输入端，外接射频输入信号，第一电阻R1、第一电容C1的另一端与第一晶体管M1的基极相连接，第一晶体管M1的集电极与第二晶体管M2的发射极相连接，第一晶体管M1的发射极接地；第二晶体管M2的集电极外接三路，一路为射频输出端，输出射频信号；另一路外接漏极偏置电源VDD；再一路与第三电容C3的一端相连接；第三电容C3的另一端与第二晶体管M2的基极、第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端相连接；第二电阻R2的另一端与栅极偏置电源Vg相连接，第二电容C2的另一端接地。