相变化记忆体之多晶矽栓塞双极性电晶体

摘要

本发明系关于记忆装置及其制造方法。记忆装置包括复数个记忆胞，且每个记忆胞包括双极性接面电晶体与记忆元件。该双极性接面电晶体系以共集极组态方式耦接，且包括射极。射极包括具有第一导电性之掺杂多晶矽，且与一条对应字元线连接以定义出一pn接面。双极性接面电晶体亦包括基极与集极，其中基极系利用位于该射极下方的该条对应字元线一部分所形成，且集极包括位于基极下方的该单晶半导体基材一部分。