| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括在第一半导体材料的半导体衬底上依次形成遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层。对遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层进行图案化以形成栅极叠置体。在栅极叠置体两侧的半导体衬底中形成凹槽。在凹槽中填充不同于第一半导体材料的第二半导体材料，同时整个器件覆盖介质层。通过第二半导体材料与覆盖介质层产生的应力是沟道中表面能级变化，提高隧穿电流，改善器件存储效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102903638A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201110215096.X | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;李家麟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：在第一半导体材料的半导体衬底上依次形成遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层；对遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层进行图案化以形成栅极叠置体；在栅极叠置体两侧的半导体衬底中形成凹槽；在凹槽中填充不同于第一半导体材料的第二半导体材料，其中第二半导体材料提供第一应力源，应力源依据凹槽形状与第二半导体材料的类型的不同而对半导体器件沟道区形成压应力与张应力。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||