发明名称 | 使用自升压对闪存器件编程的方法 | ||
摘要 | 一种对闪存器件编程的方法控制沟道升压电平以确保器件特性。通过施加编程电压给选择的存储单元以及施加通过电压给未选择的存储单元、以增量步进脉冲编程(ISPP)的方式对闪存器件进行编程。通过改变通过电压以使得在所述未选择的存储单元的沟道电压和字线电压之间保持预定范围的差距来执行所述编程。 | ||
申请公布号 | CN101556827B | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
申请号 | CN200910133782.5 | 申请日期 | 2009.04.13 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李珉圭 |
分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
主权项 | 一种使用增量步进脉冲编程ISPP对闪存器件编程的方法,所述方法包括:(a)将编程电压施加给选择的存储单元;(b)将通过电压施加给未选择的存储单元;以及(c)重复(a)和(b),其中,多个编程循环中的每个均包括(a)和(b),其中相对于在所述ISPP的多个编程循环中的在前编程循环期间的在前通过电压而增加所述通过电压,其中所述通过电压被增加以使得在所述未选择的存储单元的沟道电压和字线电压之间保持预定范围的差距。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |