提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路

摘要

本发明公开了一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路，属于集成电路制备技术领域。本发明CMOS晶体管的N型晶体管和P型晶体管的侧墙所选用的材料不同，具体为：N型MOS场效应晶体管的侧墙选用辐照后表现为不俘获电子的介质材料，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选用辐照后表现为不俘获空穴的介质材料。本发明CMOS晶体管及集成电路的制备与常规CMOS工艺兼容，可有效提高抗辐照特性，且不增加额外的费用。

主权项

一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法，其特征在于，在辐照环境下，通过CMOS晶体管结构中的N型MOS晶体管侧墙为二氧化硅或氧化铪，通过P型MOS场效应晶体管侧墙为氮化硅或氮氧硅，使N型MOS场效应晶体管和P型MOS场效应晶体管的阈值保持不变；其中，N型MOS场效应晶体管的隔离区选用氮化硅或氮氧硅，而P型MOS场效应晶体管的隔离区则选用二氧化硅或氧化铪。